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双束聚焦离子束样品制备

  • 供应价格:面议
  • 所属行业:检测服务
  • 关 键 词:半导体组件故障分析|磊晶及薄膜|奈米级结构
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  • ***更新: 2017-05-17 11:41:11
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双束聚焦离子束样品制备详细说明

双束聚焦离子束样品制备(Dual-beam FIB)

iST宜特建置业界相当高阶FEI Helios 450S机台及FEI Helios 600机台,采三班制24小时运作,提供客户快速交期的高质量服务。

Dual-beam FIB机台能在以离子束切割样品时,同时用电子束对断面进行观察。宜特所建置的业界特高阶机台,具备超高分辨率的离子束及电子束。能针对样品中的微细结构进行奈米尺度的定位及观察,大幅提升失效分析及TEM样品制备的成功率与影像质量。


iST宜特建置之聚焦离子束与电子束双束系统,其硬件基本规格如下:

  • 机型 : FEI Helios Series

  • Sample dimension: 75 – 150mm

  • Specimen stage: 5 - axis motorized stage

  • Working distance: ~4mm 

双束型聚焦离子束显微镜的应用,主要以下列所述为主:

  • 半导体组件故障分析(能力可达20nm高阶制程) 

  • 半导体生产线制程异常分析

  • 磊晶与薄膜结构分析

  • 电位对比测试

  • 穿透式电子显微镜试片制作

  • 奈米级结构制作 

关于宜特:

iST始创于1994年的中国台湾,主要以提供集成电路行业可靠性验证、失效分析、材料分析、无线认证等技术服务。2002年进驻上海,全球现已有7座实验室12个服务据点,目前已然成为深具影响力之芯片验证第三方实验室。

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